这款表面安装式系列阵列可以抑制ESD和其他瞬态电压事件。 可满足国际电工兼容性（针对静电放电要求的IEC瞬态抗扰度标准IEC 61000-4-2），这些器件可用于保护电压不超过5VDC的数据、信号或控制线路上敏感的数字或模拟输入电路。

单片硅阵列有特别设计的瞬态电压抑制（TVS）结构组成 这些结构的大小和形状专为瞬态保护而定制。 与MOV相比，这款二极管阵列可提供更低的箝位电压和更低的断态电容。

特征和优势:

• 超小型SC70、SOT-23、SOT-143或MSOP封装中2、3、4、5或6 TVS雪崩二极管的阵列
• ESD能力标准: IEC 61000-4-2，直接放电30kV（4级）；IEC 61000-4-2，空气放电30kV（4级）；MIL STD 883 3015.7 30kV
• 输入保护，用于电压不超过5VDC的应用
• 快速的响应时间: <1ns
• 低输入电容: 典型值为30pF
• 工作温度范围: -40°C至125°C
• 湿度灵敏性等级（MSL-1）

应用:

• 手机
• 个人数字助理（PDA）
• 便携式手持设备（笔记本电脑、掌上电脑）
• 计算机端口、键盘（USB1.1）
• 数码相机
• 数码相机
• MP3播放器