力特汽车保险丝, -高通下半年为10nm工艺
来源： 作者： 发布时间：2018-02-28 10:12 浏览量：9
东莞市长淞电子科技有限公司 咨询热线：0769-81700518
2月26日，联发科在MWC2018上发布了HelioP60，它基于台积电12nmFinFET工艺打造，采用4颗CortexA73大核＋4颗CortexA53小核组成，CPU最高频率为2．0GHz，GPU为Mali－G72MP3，频率为800MHz。
它最高支持8GBLPDDR4X内存，闪存最高支持UFS2．1。
从规格不难看出，联发科HelioP60定位中端，其对标的是高通骁龙6系芯片。不过对于高通来说，联发科似乎并没有对其构成威胁。
据业内人士＠草Grass草透露，2018年下半年高通骁龙6系以上芯片全线升级为10nm工艺制程，并开始向4系渗透，对联发科形成全面包围之势。
这次升级，不仅使高通骁龙6系芯片性能有所提升，功耗、发热控制也会更加优秀，届时对联发科HelioP60带来不小的压力。
根据此前曝光的消息，高通下一代中端芯片骁龙670将采用10nm工艺制程，其CPU内核将会以big．LITTLE架构的形式呈现。
它有2颗高端定制CortesA－75内核，用Kryo300Gol架构搭建；还有6颗低端定制CortexA－55内核，用Kryo300Silver架构搭建。低端内核最高时钟速度约为1．7GHz，高端内核可达2．6GHz。
最新评论
发表评论
相关新闻