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环球晶圆公司将在“LED TAIWAN 2016”功率元件制造专区中，展出宽能隙半导体元件(Wide Bandgap Semiconductor Device)关键材料最新的研发成果。

 

环球晶圆为全球前六大半导体矽晶圆材料供应商，向来积极深耕具前瞻性之基板材料，此次专题展览，将完整呈现环球晶圆致力发展宽能隙功率半导体关键材料，在功率半导体的产品研发与技术推进。

 

展会中，环球晶圆将依功率元件的应用功率，分别展出矽(Si)、氮化镓(GaN)及碳化矽(SiC)的产品。矽产品将展出3”~ 12”晶圆，包括磊晶片、退火片、抛光片及SOI;氮化镓产品将展出6”及8” Crack Free GaN/Si;及碳化矽产品将展出晶球及双抛晶片。并将于展场上说明功率半导体市场需求的关键材料、技术及产品等相关资讯。

 

此外，环球晶圆营运暨研发副总经理徐文庆博士，将于4月13日13：30于功率元件创新技术发表会上，发表“宽能隙功率半导体的关键材料”的主题演讲，将针对宽能隙功率半导体元件之关键材料，进行技术探讨、产品应用领域介绍，并介绍环球晶圆于功率半导体全域应用的产品布局及市场地位。